MOSFETs for General Purpose Applications

Infineon Technologies MOSFETs for General Purpose Applications offer simple and price-competitive solutions with a wide availability and established quality. This portfolio covers voltage classes up to 100V. It includes single and dual N-channel MOSFETs, and products for smaller power handling (single and dual N- and P-channel MOSFETs). The selected parts come in a wide range of packages including SOT-23, PQFN 2x2, PQFN 3x3, DPAK, SO-8, SuperSO8 5x6, and TO220. These products address a broad range of general-purpose applications like adapters, chargers, battery-powered applications, motor control and drives, battery management systems, inverters, computing, and mobile applications.

Rezultatai: 19
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
1 302Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 194 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
1 224Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 110 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V
Duomenų Lapas
1 622Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V
Duomenų Lapas
1 714Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 193 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
4 886Prieinamumas
4 000Tikėtina 2026-03-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 185 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
1 848Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 119 A 3.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
1 326Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 191 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 124 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 40V
Duomenų Lapas
692Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-03-02
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 197 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 159 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
2 238Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 60V
Duomenų Lapas
113Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-04-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
1 736Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 184 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 103 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
52Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-03-05
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 83 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 154 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
580Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 46 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 42 nC - 55 C + 175 C 35 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
997Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 182 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 89 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
1 121Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 115 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
937Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 77 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 28 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Duomenų Lapas
1 031Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 19 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
978Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET > 60-80V
Duomenų Lapas
2 000Tikėtina 2026-07-02
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 196 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube