QPA1009

Qorvo
772-QPA1009
QPA1009

Gam.:

Aprašymas:
RF Stiprintuvas 10.7-12.7 GHz 17W PA PHS

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Pagal užsakymą:
20
Tikėtina 2026-06-10
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
16
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
421,39 € 421,39 €
364,41 € 3 644,10 €
350,23 € 7 004,60 €
260 Pasiūlymas

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Qorvo
Gaminio kategorija: RF Stiprintuvas
Siuntimo apribojimai:
 Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
RoHS:  
10.7 GHz to 12.7 GHz
16 dB
SMD/SMT
GaN
- 40 C
+ 85 C
QPA1009
Tray
Prekės Ženklas: Qorvo
Įvesties Grįžtamieji Nuostoliai: 18 dB
Jautrus drėgmei: Yes
Kanalų skaičius: 1 Channel
Pd - skaidos galia: 59.5 W
Gaminio tipas: RF Amplifier
Gamyklinės pakuotės kiekis: 20
Subkategorija: Wireless & RF Integrated Circuits
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.b.2

QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier

Qorvo QPA1009 17W Wideband GaN on SiC Power Amplifier operates from 10.7GHz to 12.7GHz, delivering 42dBm of saturated output power and 16dB of large signal gain while achieving 33% power-added efficiency. The QPA1009 RF ports have DC blocking capacitors and are matched to 50Ω. The device's RF input port is DC coupled to ground for optimum ESD performance. The QPA1009 is fabricated on a 0.15µm QGaN15 GaN (Gallium Nitride) on SiC (Silicon Carbide) process and is 100% DC and RF tested to ensure compliance with electrical specifications.