NXH80B120MNQ0SNG

onsemi
863-NXH80B120MNQ0SNG
NXH80B120MNQ0SNG

Gam.:

Aprašymas:
MOSFET moduliai 50KW GENII 1200V 80MOHM S

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 37

Turime sandėlyje:
37 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
17 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
58,44 € 58,44 €
51,00 € 510,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: MOSFET moduliai
RoHS:  
SiC
NXH80B120MNQ0
Tray
Prekės Ženklas: onsemi
Gamybos šalis: Not Available
Distribucijos šalis: Not Available
Kilmės šalis: CN
Gaminio tipas: MOSFET Modules
Gamyklinės pakuotės kiekis: 24
Subkategorija: Discrete and Power Modules
Prekinis pavadinimas: EliteSiC
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99

NXH80B120MNQ0 Full SiC MOSFET Module

onsemi NXH80B120MNQ0 Full SiC MOSFET Module contains a dual boost stage and SiC MOSFETs diodes that provide lower conduction and switching losses. This SiC MOSFET module enables designers to achieve high efficiency and superior reliability. The NXH80B120MNQ0 module features a low inductive layout, solderable pins, thermistor, low reverse recovery, and fast switching SiC diodes. This SiC MOSFET module offers a -40°C to 125°C of storage temperature range, and −40°C to (TJMAX –25°C) of module operating junction temperature range. The NXH80B120MNQ0 module is ideally used in solar inverters and uninterruptable power supplies.