VEMT Silicon NPN Phototransistors

Vishay Semiconductors VEMT Silicon NPN Phototransistors are silicon NPN epitaxial planar phototransistors in a miniature surface-mount package (SMD) with a dome lens. The VEMT2003X01, VEMT2023X01, and VEMT2023SLX01 modules include a daylight filter that is matched with 830nm to 950nm IR emitters. The VEMT2503X01, VEMT2523X01, and VEMT2523SLX01 variants are sensitive to visible and near-infrared radiation. Applications for Vishay Semiconductors VEMT Silicon NPN Phototransistors include automotive, miniature switches, light sensors, and more.

Rezultatai: 10
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys Pakuotė / Korpusas Montavimo stilius Didžiausias bangos ilgis Didžiausia atvirojo kolektoriaus srovė Collector- Emitter Voltage VCEO Max Kolektoriaus ir Emiterio Lūžio Įtampa Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa Tamsioji srovė Pd - skaidos galia Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Serija Kvalifikacija
Vishay Semiconductors Phototransistors Sideview 470-1090nm +/-35 deg 33 194Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Side view 790-970nm +/-35 deg 10 537Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-04-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Reverse gullwing 470-1090nm +/-35 deg 7 118Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Gullwing 790-970nm +/-15 deg 5 475Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Phototransistors SMD/SMT 860 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Gullwing 790-970nm +/-35 deg 8 492Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Reverse gullwing 470-1090nm +/-15 deg 9 499Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Phototransistors Reverse Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Reverse gullwing 790-970nm +/-35 deg 850Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-05-01
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100


Vishay Semiconductors Phototransistors Reverse gullwing 790-970nm +/-15 deg 4 777Prieinamumas
12 000Tikėtina 2026-05-21
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Phototransistors 860 nm 20 V 20 V 400 mV 100 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Gullwing 470-1090nm +/-15 deg 50Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Phototransistors Gull Wing 850 nm 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100
Vishay Semiconductors Phototransistors Gullwing 470-1090nm +/-35 deg 2 240Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Phototransistors 50 mA 20 V 20 V 400 mV 1 nA 100 mW - 40 C + 100 C VEMT AEC-Q100