Visi rezultatai (160)

Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
EPC Efficient Power Conversion
2 500Tikėtina 2026-07-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2 500Tikėtina 2026-07-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2 980Tikėtina 2026-07-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2 500Tikėtina 2026-11-13
Min.: 1
Daugkart.: 1
EPC Efficient Power Conversion
2 000Tikėtina 2026-07-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
EPC Efficient Power Conversion
1 000Tikėtina 2026-07-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
EPC GaN FET EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
500Tikėtina 2026-07-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
2 500Tikėtina 2026-07-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
12 099Tikėtina 2026-10-09
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
1 000Tikėtina 2026-07-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

EPC GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
500Tikėtina 2026-07-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

EPC GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
500Tikėtina 2026-07-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

EPC GaN FET EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2 500Tikėtina 2026-10-23
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC Lazerio tvarkyklės IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
2 000Tikėtina 2026-07-29
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC Lazerio tvarkyklės IC LASER DRVR 80V 15A
2 500Tikėtina 2026-07-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC Efficient Power Conversion
1 000Tikėtina 2026-11-13
Min.: 1
Daugkart.: 1
EPC GaN FET EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
2 500Tikėtina 2026-11-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
500Tikėtina 2026-11-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
6 000Tikėtina 2026-07-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 80V/10A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 40

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 350V/4A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 40

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 80V/40A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 40

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 100V/25A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 40

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 200V/8A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 40

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 40V/25A Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 40
Daugkart.: 40