Visi rezultatai (137)

Pasirinkite žemiau esančią kategoriją, kad pamatytumėte filtravimo parinktis ir susiaurintumėte paiešką.
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Duomenų Lapas
1 414Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Duomenų Lapas
19 454Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 6.05 x 2.3
Duomenų Lapas
4 722Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 8 milliohm at 5 V, LGA 4.6 x 1.6
Duomenų Lapas
11 781Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
Duomenų Lapas
16 457Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

EPC Power Management IC Development Tools 100 V, 65 A Half-Bridge Development Board Featuring EPC2361
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 60V/20A
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 80V/17A
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 100V/15A
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools 2 kW 48 V/14 V, 140 A Bi-directional Power Module Evaluation Board featuring EPC2302
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools 12 V Input, 48 V/500 W Output Dual Phase Synchronous Boost Converter Evaluation Board
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
Duomenų Lapas
6 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
Duomenų Lapas
3 975Prieinamumas
12 500Tikėtina 2026-07-21
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Duomenų Lapas
8 950Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Duomenų Lapas
12 258Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Duomenų Lapas
14 203Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
Duomenų Lapas
11 846Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
Duomenų Lapas
4 187Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
Duomenų Lapas
2 180Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
Duomenų Lapas
4 500Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
Duomenų Lapas
12 148Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
Duomenų Lapas
3 185Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
Duomenų Lapas
10 869Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
Duomenų Lapas
2 468Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
Duomenų Lapas
2 928Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000