Visi rezultatai (160)

Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 80V/17A 10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools Half-Bridge Development Board, 100V/15A 8Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC Power Management IC Development Tools 2 kW 48 V/14 V Bi-directional Power Module 2Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 809Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-11-03
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 286Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-09-25
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9 2 631Prieinamumas
15 000Tikėtina 2026-11-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1 15 326Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 4 633Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11 638Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 11 227Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2 12 798Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95 1 962Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 4 500Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5 12 103Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 6 866Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95 2 798Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 1.1 milliohm at 5 V, LGA 6.05 X 2.3 2 628Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85 1 881Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85 14 671Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3 460Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

EPC GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 919Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

EPC GaN FET EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 2 058Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC Lazerio tvarkyklės IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC 2 030Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 9 343Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

EPC GaN FET EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0 1 846Prieinamumas
7 500Tikėtina 2026-11-10
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500