STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes are ultra-high-performance power Schottky diodes. The wide bandgap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These STMicroelectronics devices are especially suited for PFC applications, boosting performance in hard switching conditions. High forward surge capability ensures good robustness during transient phases.

Rezultatai: 9
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Configuration
Jei – tiesioginė srovė
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa
Vf - tiesioginė įtampa
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė
IR - Atvirkštinė Srovė
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Kvalifikacija
Pakavimas
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai 650 V, 4A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
1 984Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 4 A 650 V 1.3 V 30 A 4 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai 650 V, 6A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
968Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 46 A 6 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
1 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tube
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai
Duomenų Lapas
999Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
950Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai 650 V, 12A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
1 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tube
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-04-10
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 135 A 17 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-04-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 10 A 650 V 1.3 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics SiC SCHOTTKY diodai 650 V, 8A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Duomenų Lapas
1 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tube