MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.

Rezultatai: 2
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Gaminys
Tipas
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Išėjimų skaičius
Išvesties Srovė
Maitinimo Įtampa - Min.
Maksimali Maitinimo Įtampa
Configuration
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Serija
Pakavimas
STMicroelectronics Gate Tvarkyklės 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
Duomenų Lapas
1 367Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel: 3 000

Half-Bridge SMD/SMT QFN-31 4 Output 12 A 4.75 V 9.5 V Non-Inverting - 40 C + 125 C MASTERGAN Reel, Cut Tape
STMicroelectronics Gate Tvarkyklės 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1 560
Daugkart.: 1 560

Half-Bridge Drivers Half-Bridge SMD/SMT 4 Output 12 A 4.75 V 9.5 V Non-Inverting - 40 C + 125 C MASTERGAN