Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

Rezultatai: 4
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Kvalifikacija
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package
Duomenų Lapas
604Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 6 A 1 Ohms - 10 V, + 25 V 2.1 V 14 nC - 55 C + 200 C 120 W Enhancement
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Duomenų Lapas
510Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 20 A 239 mOhms - 20 V, + 20 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 200 C 175 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Duomenų Lapas
571Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole HiP-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an
Duomenų Lapas
588Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 500 mOhms - 10 V, + 25 V 3.5 V 22 nC - 55 C + 200 C 150 W Enhancement AEC-Q101