Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NXH80T120L3Q0P3G

Name: onsemi NXH80T120L3Q0P3G
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH80T120L3Q0P3G
Price: 63.59 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NXH80T120L3Q0P3G

Mfr. #:

NXH80T120L3Q0P3G

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

Igbt Moduliai PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (PRESS-FIT PIN)

Duomenų Lapas:

NXH80T120L3Q0P3G Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NXH80T120L3Q0P3G

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 22 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	63,59 €	63,59 €
	46,68 €	466,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	Igbt Moduliai
RoHS:
Gaminys:	IGBT Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	75 A
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė:	300 nA
Pd - skaidos galia:	82 W
Pakuotė / Korpusas:	Q0PACK
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pakavimas:	Tray
Prekės Ženklas:	onsemi
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Didžiausia vartų emiterio įtampa:	20 V
Montavimo stilius:	Press Fit
Gaminio tipas:	IGBT Modules
Serija:	NXH80T120L3Q0
Gamyklinės pakuotės kiekis:	24
Subkategorija:	IGBTs
Technologijos:	Si

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NXH80T120L3Q0P3G Duomenų Lapas

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXH80T120L3Q0 Power Integrated Modules (PIMs)

onsemi NXH80T120L3Q0 Power Integrated Modules (PIMs) contain a T-type Neutral Point Clamped (NPC) three-level inverter stage. This three-level inverter consists of two 80A/1200V half-bridge IGBTs with 40A/1200V half-bridge diodes. The NXH80T120L3Q0 PIMs offer two 50A/600V Neutral Point Clamped (NPC) IGBTs with two 50A/600V NPC diodes. These PIMs feature lower conduction losses, switching losses, and low V_CESAT,enabling users to achieve high efficiency and superior reliability. The NXH80T120L3Q0 modules offer options with or without pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and with solderable pins, press-fit pins, and thermistors. This offers a maximum +150°C operating junction temperature (under switching conditions). The onsemi NXH80T120L3Q0 PIMs are ideally used in solar inverters and uninterruptable power supplies.