Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IMT65R075M2HXUMA1

Name: Infineon IMT65R075M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT65R075M2HXUMA
Price: 4.93 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IMT65R075M2HXUMA

Mfr. #:

IMT65R075M2HXUMA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 800

Turime sandėlyje:: 800 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 52 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	4,93 €	4,93 €
	3,30 €	33,00 €
	2,67 €	267,00 €
	2,31 €	1 155,00 €
	2,10 €	2 100,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2000)
	2,10 €	4 200,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Pakuotė / Korpusas:	TOLL-8
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
RDS On - Drain-Source Varža:	75 mOhms
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	AT
Jautrus drėgmei:	Yes
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminys:	SiC MOSFET
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2000
Subkategorija:	Transistors
Tipas:	MOSFET

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET naudoja silicio karbido našumo galimybes, nes leidžia sumažinti energijos nuostolius, o tai lemia didesnį efektyvumą konvertuojant energiją. Infineon CoolSiC 650 V G2 MOSFET suteikia privalumų įvairiose galios puslaidininkių srityse, pavyzdžiui, fotovoltiniuose įrenginiuose, energijos kaupikliuose, DC elektromobilių įkrovimo sistemose, variklių pavarose ir pramoniniuose maitinimo šaltiniuose. DC greitojo įkrovimo stotelė elektromobiliams su CoolSiC G2 užtikrina iki 10 % mažesnius energijos nuostolius nei ankstesnės kartos stotelės, o įkrovimo pajėgumas yra didesnis nekeičiant formos.

CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs allow an excellent level of SiC performance while fulfilling the highest quality standards in all common power scheme combinations (AC-DC, DC-DC, and DC-AC). SiC MOSFETs offer additional performance for photovoltaic inverters, energy storage systems, EV charging, power supplies, and motor drives, compared to Si alternatives. Infineon CoolSiC G2 MOSFETs further advance the unique XT interconnection technology (e.g., in discrete housings TO-263-7, TO-247-4) that overcomes the common challenge of improving semiconductor chip performance while maintaining thermal capability. The G2 thermal capability is 12% better, boosting the chip figures-of-merit to a robust level of SiC performance.