UJ3N120065K3S

onsemi
431-UJ3N120065K3S
UJ3N120065K3S

Gam.:

Aprašymas:
JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 538

Turime sandėlyje:
538 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
31 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
18,15 € 18,15 €
11,46 € 114,60 €
10,82 € 1 082,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: JFETs
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Single
1.2 kV
- 20 V to 3 V
5 uA
34 A
90 mOhms
254 W
- 55 C
+ 175 C
UJ3N
AEC-Q101
Tube
Prekės Ženklas: onsemi
Gaminio tipas: JFETs
Gamyklinės pakuotės kiekis: 600
Subkategorija: Transistors
Prekinis pavadinimas: SiC JFET
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.