Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

UF3SC120040B7S

Name: onsemi UF3SC120040B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC120040B7S
Price: 27.46 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

431-UF3SC120040B7S

Mfr. #:

UF3SC120040B7S

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO263-7

Duomenų Lapas:

UF3SC120040B7S Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi UF3SC120040B7S

Prieinamumas: 270

Turime sandėlyje:: 270 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 270 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	27,46 €	27,46 €
	21,50 €	215,00 €
	21,49 €	2 149,00 €
	21,37 €	10 685,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 800)
	20,08 €	16 064,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	D2PAK-7
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	47 A
RDS On - Drain-Source Varža:	35 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	6 V
Qg – vartų krūvis:	43 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	214 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	SiC FET
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	Single
Rudens laikas:	7 ns, 8 ns
Jautrus drėgmei:	Yes
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminys:	SiC FETs
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	12 ns, 13 ns
Serija:	UF3SC
Gamyklinės pakuotės kiekis:	800
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	SiC FET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	47 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	37 ns
Vieneto Svoris:	4,675 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

UF3SC120040B7S Duomenų Lapas

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK

onsemi UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK-7L (7-lead Kelvin package) are based on a unique 'cascode' circuit configuration and feature excellent reverse recovery. This circuit configuration includes a normally-on SiC JFET to be co-packaged with Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow true “drop-in replacement” to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These high-performance SiC FETs operate at 175°C maximum temperature, 43nC low gate charge, and 5V typical threshold voltage. Typical applications include telecom and server power, motor drives, induction heating, and industrial power supplies.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs

onsemi UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs are silicon carbide devices with low R_DS(on) of 7mΩ to 45mΩ built for fast switching speeds and lower switching losses. These devices are based on a unique cascode circuit configuration and exhibit an ultra-low gate charge. The cascode configuration employs a normally-on SiC JFET co-packaged with a Silicon MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow a true "drop-in replacement" to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These SiC FETs include low intrinsic capacitance and excellent reverse recovery. onsemi UF3SC FETs operate at -55°C to +175°C temperature range and a -20V to +20V gate-source voltage range. These SiC FETs are ideal for electric-vehicle (EV) charging, photovoltaic (PV) inverters, motor drives, switch-mode power supplies, power factor correction (PFC) modules, and induction heating. The onsemi UF3SC SiC FETs are available in TO-247-3L and TO-247-4L package options for faster switching and clean gate waveforms.