UF3C120080B7S

onsemi
431-UF3C120080B7S
UF3C120080B7S

Gam.:

Aprašymas:
SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie onsemi UF3C120080B7S

Prieinamumas: 726

Turime sandėlyje:
726 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 726 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
15,45 € 15,45 €
11,00 € 110,00 €
10,37 € 1 037,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 800)
9,68 € 7 744,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
28.8 A
85 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
SiC FET
Prekės Ženklas: onsemi
Atitiktis: Done
Configuration: Single
Rudens laikas: 9 ns, 8 ns
Jautrus drėgmei: Yes
Pakavimas: Reel
Pakavimas: Cut Tape
Gaminio tipas: SiC MOSFETS
Kilimo Laikas: 7 ns, 6 ns
Serija: UF3C
Gamyklinės pakuotės kiekis: 800
Subkategorija: Transistors
Technologijos: SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 30 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 31 ns, 33 ns
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D2PAK-3, D2PAK-7, D2PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

UF3C SiC FETs in D2-PAK Package

onsemi UF3C SiC FETs in D2-PAK-3L and D2-PAK-7L surface-mount packages are based on a unique cascode circuit configuration and feature excellent reverse recovery. In the cascode circuit configuration, a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. These onsemi SiC FETs offer low body diode, low gate charge, and a 4.8V threshold voltage that allows 0V to 15V drive. These D2-PAK SiC FET devices are ESD protected and provide package creepage and clearance distance of >6.1mm. The standard gate-drive characteristics of the FETs are drop-in replacements for Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si superjunction. They are available in 1200V and 650V drain-source breakdown voltage variants and are ideal for use in any controlled environment such as telecom and server power, industrial power supplies, motor drives, and induction heating.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.