STP18NM80

STMicroelectronics
511-STP18NM80
STP18NM80

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 921

Turime sandėlyje:
921 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
5,94 € 5,94 €
3,23 € 32,30 €
3,13 € 313,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
800 V
17 A
295 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
70 nC
- 65 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Configuration: Single
Rudens laikas: 50 ns
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 28 ns
Serija: STP18NM80
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 96 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 18 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 2 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best RDS(on)*Qg in the industry.