Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STL10N60M6

Name: STMicroelectronics STL10N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL10N60M6
Price: 2.04 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STL10N60M6

Mfr. #:

STL10N60M6

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

MOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

STL10N60M6 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STL10N60M6

Prieinamumas: 1 797

Turime sandėlyje:: 1 797 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	2,04 €	2,04 €
	1,31 €	13,10 €
	0,894 €	89,40 €
	0,728 €	364,00 €
	0,656 €	656,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,588 €	1 764,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	PowerFLAT-5x6-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	600 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	5.5 A
RDS On - Drain-Source Varža:	660 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 25 V, 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	3.25 V
Qg – vartų krūvis:	8.8 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	48 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	MDmesh
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	10 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	8.2 ns
Serija:	Mdmesh M6
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	23 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	11 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	76 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STL10N60M6 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

MDmesh™ M6 MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFETs combine a low gate charge (Q_g) with an optimized capacitance profile to target high efficiency on new topologies in power conversion applications. The super-junction MDmesh M6 series offers extremely high-efficiency performance resulting in increased power density and a low gate charge for high frequencies. STMicroelectronics M6 series MOSFETs have a breakdown voltage ranging from 600 to 700V. The MOSFETs are available in a wide range of packaging options, including a TO-Leadless (TO-LL) package solution, allowing efficient thermal management. The devices include a wide range of operating voltages for industrial applications, including chargers, adapters, silver box modules, LED lighting, telecom, server, and solar.

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.