Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

STH65N050DM9-7AG

Name: STMicroelectronics STH65N050DM9-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH65N050DM9-7AG
Price: 7.81 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-STH65N050DM9-7AG

Mfr. #:

STH65N050DM9-7AG

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

Užbaikite savo projektą

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

STH65N050DM9-7AG Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics STH65N050DM9-7AG

Prieinamumas: 796

Turime sandėlyje:: 796 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 20 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	7,81 €	7,81 €
	5,68 €	56,80 €
	4,73 €	473,00 €
	4,21 €	2 105,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
	3,76 €	3 760,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	H2PAK-7
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	51 A
RDS On - Drain-Source Varža:	50 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	30 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.5 V
Qg – vartų krūvis:	100 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 50 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	266 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Kvalifikacija:	AEC-Q101
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	5 ns
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	7 ns
Serija:	MDmesh M9
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	80 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	29 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	1,540 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

STH65N050DM9-7AG Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.