STGF15M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF15M65DF2
STGF15M65DF2

Gam.:

Aprašymas:
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 140

Turime sandėlyje:
140 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
15 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
1,75 € 1,75 €
0,848 € 8,48 €
0,754 € 75,40 €
0,604 € 302,00 €
0,553 € 553,00 €
0,522 € 1 044,00 €
0,484 € 2 420,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
30 A
31 W
- 55 C
+ 175 C
STGF15M65DF2
Tube
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Nuolatinė kolektoriaus srovė, Ic Max: 30 A
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė: +/- 250 uA
Gaminio tipas: IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: IGBTs
Vieneto Svoris: 2,300 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.