SSM6J511NU,LF

Toshiba
757-SSM6J511NULF
SSM6J511NU,LF

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs Small-signal MOSFET Power MGMT switch

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas

Turime sandėlyje:
0

Taip pat galite pirkti šį produktą kaip sandėlyje neesančią prekę.

Pagal užsakymą:
17 054
Tikėtina 2026-02-20
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
20
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
0,533 € 0,53 €
0,329 € 3,29 €
0,211 € 21,10 €
0,159 € 79,50 €
0,142 € 142,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
0,117 € 351,00 €
0,107 € 642,00 €
0,092 € 828,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Toshiba
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UDFN-6
P-Channel
1 Channel
12 V
14 A
6.5 mOhms
- 10 V, 10 V
1 V
47 nC
- 55 C
+ 150 C
1.25 W
Enhancement
U-MOSVII
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Toshiba
Configuration: Single
Tiesioginis laidumas - min: 27 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Serija: SSM6J511
Gamyklinės pakuotės kiekis: 3000
Subkategorija: Transistors
Tranzistoriaus tipas: 1 P-Channel
Vieneto Svoris: 8,500 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

U-MOSVII MOSFETs

Toshiba U-MOSVII MOSFETs are single and dual P-channel MOSFETs with low voltage gate drive and low drain-source on-resistance. These Toshiba devices have a drain-source voltage range of -12V to -20V and a continuous drain current range from -1A to +14A. The U-MOSVII MOSFETs are offered in a wide range of package types for design flexibility.

Semi Power MOSFETs

Toshiba Semi Power MOSFETs are designed with advanced technologies, achieving low RON characteristics. The Semi Power MOSFETs are very compact and thin at 2 x 2mm and 2.9 x 2.8mm, offering the low loss and compact size MOSFETs required for battery-powered devices such as smartphones and wearable devices.