Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SI8902AEDB-T2-E1

Name: Vishay SI8902AEDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8902AEDB-T2-E1
Price: 0.33 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

78-SI8902AEDB-T2-E1

Mfr. #:

SI8902AEDB-T2-E1

Gam.:

Vishay Semiconductors

Aprašymas:

MOSFETs 24V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 2.4 x 1.6

Duomenų Lapas:

SI8902AEDB-T2-E1 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Vishay Semiconductors SI8902AEDB-T2-E1

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: Prašyti Pristatymo Pasiūlymo

Įvesti kiekį:

Min. 6000 Užsakoma po 3000

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,33 €	1 980,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Vishay
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	MicroFoot-6
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	24 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	11 A
RDS On - Drain-Source Varža:	28 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 12 V, 12 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	400 mV
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	5.7 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Reel
Prekės Ženklas:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Rudens laikas:	12 us
Tiesioginis laidumas - min:	15 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	3.5 us
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	25 us
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	1.5 us
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel
Vieneto Svoris:	128,380 mg

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SI8902AEDB-T2-E1 Duomenų Lapas

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.