SI8487DB-T1-E1

Vishay Semiconductors
78-SI8487DB-T1-E1
SI8487DB-T1-E1

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 1.6 x 1.6

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie Vishay Semiconductors SI8487DB-T1-E1

Prieinamumas: 8 726

Turime sandėlyje:
8 726 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
4 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ †
0,817 € 0,82 €
0,508 € 5,08 €
0,331 € 33,10 €
0,255 € 127,50 €
0,23 € 230,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
0,198 € 594,00 €
0,181 € 1 086,00 €
0,166 € 1 494,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Vishay
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
MicroFoot-4
P-Channel
1 Channel
30 V
7.7 A
25 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
2.7 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Vishay Semiconductors
Configuration: Single
Rudens laikas: 60 ns
Tiesioginis laidumas - min: 16 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 22 ns
Serija: SI8
Gamyklinės pakuotės kiekis: 3000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 195 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 25 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 P-Channel
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: SI8487DB-E1
Vieneto Svoris: 45,104 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Si84x7DB 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFETs

Vishay Siliconix's Si84x7DB 30V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFETs set new benchmarks for size and on-resistance. The new Si8497DB is the industry's first 30V chipscale MOSFET in the compact 1 mm by 1.5 mm size, making it the smallest such device on the market, while the Si8487DB provides the lowest on-resistance available for a 30V chipscale device in the 1.6 mm by 1.6 mm form factor. Vishay's TrenchFET Gen III P-channel technology uses advanced process techniques to pack one billion transistor cells into each square inch of silicon. The Si8497DB and Si8487DB will be used for load, battery, and charger switching in handheld devices including smart phones, tablets, point-of-sale (POS) devices, and mobile computing.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (RDS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.