Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SCT4036DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4036DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036DEC11
Price: 11.51 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-SCT4036DEC11

Mfr. #:

SCT4036DEC11

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

SCT4036DEC11 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor SCT4036DEC11

Prieinamumas: 450

Turime sandėlyje:: 450 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	11,51 €	11,51 €
	6,98 €	69,80 €
	6,02 €	602,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247N-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	750 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	42 A
RDS On - Drain-Source Varža:	47 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.8 V
Qg – vartų krūvis:	72 nC
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	136 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Rudens laikas:	11 ns
Tiesioginis laidumas - min:	10 S
Pakavimas:	Tube
Gaminys:	Power MOSFETs
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	22 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	450
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipas:	SiC Power MOSFET
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	28 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	13 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SCT4036DEC11 Duomenų Lapas

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.