Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SCT040W120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT040W120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT040W120G3AG
Price: 11.21 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

511-SCT040W120G3AG

Mfr. #:

SCT040W120G3AG

Gam.:

STMicroelectronics

Aprašymas:

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Užbaikite savo projektą

Duomenų Lapas:

SCT040W120G3AG Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie STMicroelectronics SCT040W120G3AG

Prieinamumas: 619

Turime sandėlyje:: 619 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 17 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	11,21 €	11,21 €
	7,84 €	78,40 €
	5,93 €	593,00 €
	5,82 €	3 492,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	STMicroelectronics
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	HiP-247-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	40 A
RDS On - Drain-Source Varža:	54 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.2 V
Qg – vartų krūvis:	56 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 200 C
Pd - skaidos galia:	312 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Kvalifikacija:	AEC-Q101
Prekės Ženklas:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Rudens laikas:	11 ns
Pakavimas:	Tube
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	16 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	600
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	23 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	14 ns

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SCT040W120G3AG Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automobilių klasės silicio karbido galios MOSFET

STMicroelectronics automobilių klasės silicio karbido galios MOSFET sukurta naudojant pažangią ir naujovišką ST 2-os / 3-ios kartos SiC MOSFET technologiją. Prietaisai pasižymi maža įjungimo varža ploto vienetui ir labai geromis perjungimo savybėmis. MOSFET pasižymi itin aukšta darbine temperatūra (TJ = 200°C) ir labai greitu bei patikimu vidiniu korpuso diodu.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.