SCS220KE2HRC11

ROHM Semiconductor
755-SCS220KE2HRC11
SCS220KE2HRC11

Gam.:

Aprašymas:
SiC SCHOTTKY diodai AECQ

Duomenų Lapas:
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.
Daugiau informacijos
Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor SCS220KE2HRC11

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija: SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:  
Through Hole
TO-247N-3
Dual
20 A
1.2 kV
1.6 V
84 A
200 uA
+ 175 C
1.2 kV
AEC-Q101
Tube
Prekės Ženklas: ROHM Semiconductor
Pd - skaidos galia: 270 W
Gaminio tipas: SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis: 450
Subkategorija: Diodes & Rectifiers
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: SCS220KE2HR
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Duomenų Lapas

Specification Sheets

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai
TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99
Klasifikacija pagal kilmę
Kilmės šalis:
Tailandas
Šalis, kurioje pagaminta:
Ne
Distribucijos šalis:
Ne
Šalis gali keistis siuntimo metu.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

Prieinamumas: 440

Turime sandėlyje:
440 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
33 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 440 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
12,53 € 12,53 €
10,25 € 102,50 €
9,00 € 900,00 €
8,55 € 3 847,50 €
8,43 € 7 587,00 €

Įvyko netikėta klaida.


Turite klausimų? Apsilankykite pagalbos centre.
Jei turite klausimų apie konkretų užsakymą, prisijunkite prie savo paskyros.

Jei susidūrėte su papildomomis problemomis, susisiekite su mumis tel. Nr. 800-346-6873 arba el. paštu help@mouser.com.