Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

SCS220AE2HRC11

Name: ROHM Semiconductor SCS220AE2HRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCS220AE2HRC11
Price: 8.59 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-SCS220AE2HRC11

Mfr. #:

SCS220AE2HRC11

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai AECQ

Duomenų Lapas:

SCS220AE2HRC11 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor SCS220AE2HRC11

Prieinamumas: 1 924

Turime sandėlyje:: 1 924 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 21 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	8,59 €	8,59 €
	5,06 €	50,60 €
	4,51 €	451,00 €
	4,33 €	1 948,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247N-3
Configuration:	Dual
Jei – tiesioginė srovė:	20 A
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa:	650 V
Vf - tiesioginė įtampa:	1.55 V
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė:	76 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	200 uA
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Kvalifikacija:	AEC-Q101
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Pd - skaidos galia:	160 W
Gaminio tipas:	SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	450
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Vr - atvirkštinė įtampa:	650 V
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	SCS220AE2HR

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SCS220AE2HRC11 Duomenų Lapas (PDF)

Specification Sheets

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes deliver breakdown voltages from 600V, far exceeding the upper limit for silicon SBDs. The AEC-Q101 Diodes utilize SiC, making them ideal for PFC circuits and inverters. Additionally, high-speed switching is enabled with ultra-small reverse recovery time. This minimizes both reverse recovery charge and switching loss, contributing to end-product miniaturization. ROHM AEC-Q101 SiC Schottky Barrier Diodes offer a reverse voltage range of 650V to 1200V, a continuous forward current range of 1.2µA to 260µA, and a total power dissipation range between 48W to 280W. The devices are available in TO-247 and TO-263 packages, with a max temperature of +175°C.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.