Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

Grįžti į Paieškos Rezultatus

Matote Klaidą?

SCS206AGC17

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-SCS206AGC17

Mfr. #:

SCS206AGC17

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen

Eksploatacijos Laikotarpis:

NRND:

Nerekomenduojama naudoti naujiems projektams.

Duomenų Lapas:

SCS206AGC17 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor SCS206AGC17

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Nėra

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.

Kainodara (EUR)

Prašyti Pasiūlymo

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	SiC SCHOTTKY diodai
RoHS:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-220ACG-2
Configuration:	Single
Jei – tiesioginė srovė:	6 A
Vrrm - pasikartojanti atvirkštinė įtampa:	650 V
Vf - tiesioginė įtampa:	1.55 V
Ifsm – tiesioginė viršįtampio srovė:	23 A
IR - Atvirkštinė Srovė:	120 uA
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Pd - skaidos galia:	51 W
Gaminio tipas:	SiC Schottky Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Vr - atvirkštinė įtampa:	650 V
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	SCS206AG

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

SCS206AGC17 Duomenų Lapas (PDF)

Specification Sheets

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (Q_C), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.