Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

RQ3G120BJFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3G120BJFRATCB
Price: 1.35 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-RQ3G120BJFRATCB

Mfr. #:

RQ3G120BJFRATCB

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

MOSFETs Pch -40V -12A, HSMT8AG, Power MOSFET for Automotive

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

RQ3G120BJFRATCB Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor RQ3G120BJFRATCB

Prieinamumas: 2 997

Turime sandėlyje:: 2 997 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	1,35 €	1,35 €
	0,855 €	8,55 €
	0,57 €	57,00 €
	0,467 €	233,50 €
	0,459 €	459,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,39 €	1 170,00 €
	0,387 €	2 322,00 €
	0,372 €	3 348,00 €
	0,37 €	8 880,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	HSMT-8
Tranzistoriaus poliškumas:	P-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	40 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	12 A
RDS On - Drain-Source Varža:	48 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 5 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.5 V
Qg – vartų krūvis:	15.5 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	40 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Rudens laikas:	9.8 ns
Tiesioginis laidumas - min:	6.5 S
Gaminio tipas:	MOSFETs
Kilimo Laikas:	4.7 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	36 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	6.7 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 P-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

RQ3G120BJFRATCB Duomenų Lapas

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RQ3xFRATCB maitinimo MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB galios MOSFET yra AEC-Q101 standartą atitinkantys automobiliams skirti MOSFET. Šie MOSFET pasižymi nuo -40 V iki 100 V nutekėjimo šaltinio įtampos diapazonu, turi 8 gnybtus, iki 69 W išsklaidymo galią ir ±12 A iki ±27 A nuolatinę nutekėjimo srovę. RQ3xFRATCB galios MOSFET gali būti N ir P kanalų. Šie galios MOSFET sumontuoti nedideliame 3,3 mm x 3,3 mm HSMT8AG korpuse. RQ3xFRATCB galios MOSFET idealiai tinka pažangioms pagalbos vairuotojui sistemoms (ADAS), informacijos ir pramogų sistemoms, apšvietimui ir kėbului.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.