Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

RGSX5TS65DHRC11

Name: ROHM Semiconductor RGSX5TS65DHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGSX5TS65DHRC11
Price: 9.73 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-RGSX5TS65DHRC11

Mfr. #:

RGSX5TS65DHRC11

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

IGBT 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT

Eksploatacijos Laikotarpis:

NRND:

Nerekomenduojama naudoti naujiems projektams.

Duomenų Lapas:

RGSX5TS65DHRC11 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor RGSX5TS65DHRC11

Prieinamumas: 450

Turime sandėlyje:: 450 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 22 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 450 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	9,73 €	9,73 €
	5,82 €	58,20 €
	4,96 €	496,00 €
	4,84 €	2 178,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	IGBT
RoHS:
Technologijos:	Si
Pakuotė / Korpusas:	TO-247N-3
Montavimo stilius:	Through Hole
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	2.15 V
Didžiausia vartų emiterio įtampa:	30 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	114 A
Pd - skaidos galia:	404 W
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė:	200 nA
Gaminio tipas:	IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	450
Subkategorija:	IGBTs
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	RGSX5TS65DHR

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

RGSX5TS65DHRC11 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

Specification Sheets

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A Field Stop Trench IGBTs feature a low collector-emitter saturation voltage. The RGSX5TS65 has a short circuit withstand time of 8μs. It's qualified to AEC-Q101 and has Pb-free lead plating.