PBZTBR112B

Name: ROHM Semiconductor PBZTBR112B
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-PBZTBR112B
Price: 0.73 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

755-PBZTBR112B

Mfr. #:

PBZTBR112B

Gam.:

ROHM Semiconductor

Aprašymas:

Zinerio diodai 1000mW, 9V, DO-214AA(SMB), Zener Diode

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

PBZTBR112B Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ROHM Semiconductor PBZTBR112B

Prieinamumas: 2 920

Turime sandėlyje:: 2 920 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	0,731 €	0,73 €
	0,447 €	4,47 €
	0,295 €	29,50 €
	0,231 €	115,50 €
	0,198 €	198,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
	0,157 €	471,00 €
	0,149 €	894,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ROHM Semiconductor
Gaminio kategorija:	Zinerio diodai
RoHS:
Vz - Zenerio įtampa:	12 V
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	DO-214AA-2
Pd - skaidos galia:	1 W
IR - Maksimali Atvirkštinio Nuotėkio Srovė:	10 uA
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Configuration:	Single
Test Srovė:	20 mA
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	ROHM Semiconductor
Aukštis:	3.94 mm
IR - Atvirkštinė Srovė:	10 uA
Ilgis:	4.7 mm
Gaminio tipas:	Zener Diodes
Gamyklinės pakuotės kiekis:	3000
Subkategorija:	Diodes & Rectifiers
Plotis:	2.45 mm
Zenerio srovė:	10 uA

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

PBZTBR112B Duomenų Lapas (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100030
USHTS:: 8541100050
ECCN:: EAR99

PBZTBR1x „Zener“ diodai

ROHM Semiconductor "PBZTBR1x Zener“ Diodai pasižymi dideliu patikimumu ir mažos galios liejinio tipu su silicio epitaksine planarine struktūra. Šie „Zener“ diodai pasižymi 1000mW išsklaidoma galia ir 150°C sandūros temperatūra. PBZTBR1x „Zener“ diodai laikomi nuo -55°C iki 150°C temperatūroje Šie „Zener“ diodai tiekiami DO-214AA(SMB) korpuse. Įtampos reguliavimui naudojami PBZTBR1x „Zener“ diodai.