Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NVXK2VR80WDT2

Name: onsemi NVXK2VR80WDT2
Brand: onsemi
SKU: 863-NVXK2VR80WDT2
Price: 52.3 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NVXK2VR80WDT2

Mfr. #:

NVXK2VR80WDT2

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFET moduliai APM32 SIC POWER MODULE

Eksploatacijos Laikotarpis:

"Mouser Naujiena"

Duomenų Lapas:

NVXK2VR80WDT2 Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NVXK2VR80WDT2

Prieinamumas: 60

Turime sandėlyje:: 60 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 16 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	52,30 €	52,30 €
	43,21 €	432,10 €
	38,92 €	3 892,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFET moduliai
RoHS:
Technologijos:	SiC
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	APM-32
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	6 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	20 A
RDS On - Drain-Source Varža:	116 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 15 V, + 25 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4.3 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	82 W
Serija:	NVXK2VR80WDT2
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Configuration:	3-Phase Bridge
Rudens laikas:	9 ns
Aukštis:	5.8 mm
Ilgis:	44.2 mm
Gaminio tipas:	MOSFET Modules
Kilimo Laikas:	12 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	10
Subkategorija:	Discrete and Power Modules
Tipas:	Power Module
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	21 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	12 ns
Plotis:	29 mm

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NVXK2VR80WDT2 Duomenų Lapas

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules

onsemi NVXK2VR80WxT2 Silicon Carbide (SiC) Modules are 1200V, 80mΩ 3-phase bridge power modules housed in a Dual Inline Package (DIP). These SiC modules are compactly designed to have low total module resistance. The NVXK2VR80WxT2 power modules are automotive-qualified per AEC-Q101 and AQG324. These power modules are lead-free and ROHS, UL94V-0 compliant. The NVXK2VR80WxT2 SiC modules' temperature sensing and the lowest thermal resistance make them ideal for PFC onboard chargers in xEV applications.