NVMYS6D2N06CLTWG

onsemi
863-NVMYS6D2N06CLTWG
NVMYS6D2N06CLTWG

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs T6 60V LL LFPAK

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 8

Turime sandėlyje:
8
Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
3 000
Tikėtina 2026-07-17
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
29
Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
1,53 € 1,53 €
0,972 € 9,72 €
0,654 € 65,40 €
0,518 € 259,00 €
0,473 € 473,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
0,416 € 1 248,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
60 V
71 A
6.1 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
20 nC
- 55 C
+ 175 C
61 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Prekės Ženklas: onsemi
Gaminio tipas: MOSFETs
Serija: NVMYS6D2N06CL
Gamyklinės pakuotės kiekis: 3000
Subkategorija: Transistors
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Automotive N-Channel Power MOSFETs are AEC-Q101-qualified, single N-channel MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These automotive-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide -55°C to +175°C operating temperature range.