NTMYS7D3N04CLTWG

onsemi
863-NTMYS7D3N04CLTWG
NTMYS7D3N04CLTWG

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 4 192

Turime sandėlyje:
4 192 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
23 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
1,29 € 1,29 €
0,92 € 9,20 €
0,753 € 75,30 €
0,686 € 343,00 €
0,613 € 613,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 3000)
0,563 € 1 689,00 €
0,462 € 2 772,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
onsemi
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LFPAK-4
N-Channel
1 Channel
40 V
52 A
7.3 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
7 nC
- 55 C
+ 175 C
38 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: onsemi
Configuration: Single
Rudens laikas: 6 ns
Tiesioginis laidumas - min: 33 S
Gaminio tipas: MOSFETs
Kilimo Laikas: 24 ns
Serija: NTMYS7D3N04CL
Gamyklinės pakuotės kiekis: 3000
Subkategorija: Transistors
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 29 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 8 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 75 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

LFPAK4 Industrial N-Channel Power MOSFETs

onsemi LFPAK4 Industrial N-channel Power MOSFETs are single MOSFETs with a small 5mm x 6mm footprint, ideal for compact designs. These devices feature a low drain-to-source on-resistance to minimize conduction losses and low gate charge and capacitance to minimize driver losses. These industrial-grade power MOSFETs are Pb-free, RoHS-compliant, and feature a wide, -55°C to +175°C operating temperature range.

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.