Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NTMFS4D2N10MDT1G

Name: onsemi NTMFS4D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS4D2N10MDT1G
Price: 3.18 EUR
Availability: OutOfStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NTMFS4D2N10MDT1G

Mfr. #:

NTMFS4D2N10MDT1G

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFETs PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

Duomenų Lapas:

NTMFS4D2N10MDT1G Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NTMFS4D2N10MDT1G

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	SO-8FL-4
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	100 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	113 A
RDS On - Drain-Source Varža:	4.3 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 20 V, 20 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	4 V
Qg – vartų krūvis:	25 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Pd - skaidos galia:	132 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	PowerTrench
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Prekės Ženklas:	onsemi
Gaminio tipas:	MOSFETs
Serija:	NTMFS4D2N10MD
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1500
Subkategorija:	Transistors

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NTMFS4D2N10MDT1G Duomenų Lapas

PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

Material Composition Disclosure

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Pietų Korėja
Šalis, kurioje pagaminta:: Malaizija
Distribucijos šalis:: Pietų Korėja

Šalis gali keistis siuntimo metu.

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are N-channel MOSFETs that minimize on-state resistance and maintain superior switching performance with best-in-class soft body diode. These MOSFET offers lower Q_rr compared to other MOSFETs. onsemi Shielded Gate PowerTrench MOSFETs lower switching noise/electromagnetic interference (EMI). These MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and capacitance to minimize driver losses. The Shielded Gate PowerTrench MOSFETs come in a small PQFN8 package with 5mm x 6mm dimensions for compact designs. Typical applications include synchronous rectification (SR), AC-DC and DC-DC power supplies, AC-DC adapters (USB Power Delivery) SR, and load switches.

„PowerTrench“ Technologija

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI

NVNJWS1K6N061L N-Channel MOSFET

Features low R_DS(on) and low gate threshold with integrated ESD protection.

Sužinokite Daugiau

NVBYST0D8N08X Single N-Channel Power MOSFET

Optimized for high‑voltage operation and withstands fast switching and high-current stresses.

Sužinokite Daugiau

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

Dual N-channel MOSFET designed with low R_g for fast switching applications.

Sužinokite Daugiau

NVMFD5873NL Dual N-Channel Power MOSFETs

Designed for compact and efficient designs, including high thermal performance.

Sužinokite Daugiau

NVBYST0D6N08X 80V N-Channel Power MOSFET

This device offers a low Q_RR and soft recovery body diode in a TCPAK1012 (TopCool) package.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas

Turime sandėlyje:: Ne Sandėlyje Esantys

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 53 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje.

Pranešama apie ilgą šio gaminio pristatymo laiką.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 1500)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	3,18 €	3,18 €
	1,83 €	18,30 €
	1,56 €	156,00 €
	1,21 €	605,00 €
	1,10 €	1 100,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1500)
	1,10 €	1 650,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

NTMFS4D2N10MDT1G

Gam.: onsemi

Aprašymas: MOSFETs PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

Specifikacijos

Dokumentai (2)

Duomenų Lapas

PCN

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

„PowerTrench“ Technologija

Klientai taip pat pirko

ATRINKTI PRODUKTAI ONSEMI

Prieinamumas

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

MOSFETs PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL

ATRINKTI PRODUKTAI

ONSEMI