Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NSF080120L3A0Q

Name: Nexperia NSF080120L3A0Q
Brand: Nexperia
SKU: 771-NSF080120L3A0
Price: 7.04 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

771-NSF080120L3A0

Mfr. #:

NSF080120L3A0Q

Gam.:

Nexperia

Aprašymas:

SiC MOSFET TO247 1.2KV 36A N-CH SIC

Duomenų Lapas:

NSF080120L3A0Q Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Nexperia NSF080120L3A0Q

Prieinamumas: 255

Turime sandėlyje:: 255 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 8 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	7,04 €	7,04 €
	4,28 €	42,80 €
	3,55 €	426,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Nexperia
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Montavimo stilius:	Through Hole
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	36 A
RDS On - Drain-Source Varža:	120 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	2.9 V
Qg – vartų krūvis:	44 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	202 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	Nexperia
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	Not Available
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	CN
Rudens laikas:	14 ns
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	14 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	15 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	30 ns
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	934665928127

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NSF080120L3A0Q Duomenų Lapas (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V SiC MOSFETs

Nexperia 1200V SiC MOSFETs are housed in 3-pin TO-247-3 and 4-pin TO-247-4 for through-hole PCB mounting. The Nexperia MOSFETs are ideal for high-power and high-voltage industrial applications thanks to excellent temperature stability and fast switching speed. These applications include E-vehicle charging infrastructures, photovoltaic inverters, and motor drives.