Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

NGTB40N120FL3WG

Name: onsemi NGTB40N120FL3WG
Brand: onsemi
SKU: 863-NGTB40N120FL3WG
Price: 5.7 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

863-NGTB40N120FL3WG

Mfr. #:

NGTB40N120FL3WG

Gam.:

onsemi

Aprašymas:

IGBT IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/

Duomenų Lapas:

NGTB40N120FL3WG Duomenų Lapas

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie onsemi NGTB40N120FL3WG

Prieinamumas: 1 141

Turime sandėlyje:: 1 141 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 11 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	5,70 €	5,70 €
	3,27 €	32,70 €
	2,39 €	286,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	onsemi
Gaminio kategorija:	IGBT
RoHS:
Technologijos:	Si
Pakuotė / Korpusas:	TO-247-3
Montavimo stilius:	Through Hole
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1.2 kV
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	1.7 V
Didžiausia vartų emiterio įtampa:	- 20 V, 20 V
Nuolatinė kolektoriaus srovė esant 25 C:	80 A
Pd - skaidos galia:	454 W
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Serija:	NGTB40N120FL3
Pakavimas:	Tube
Prekės Ženklas:	onsemi
Užtvaro sklaidos įrenginio nuotėkio srovė:	200 nA
Gaminio tipas:	IGBT Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	30
Subkategorija:	IGBTs
Vieneto Svoris:	4,083 g

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

NGTB40N120FL3WG Duomenų Lapas

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NGTB25N/NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors

onsemi NGTB25N and NGTB40N Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) feature a robust and cost-effective Ultra Field Stop Trench construction. Low switch losses and an ultra-fast recovery diode make them ideal for high frequency solar, UPS and inverter welder applications. Incorporated into these onsemi devices is a soft and fast co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.