MWT-LN600

CML Micro
938-MWT-LN600
MWT-LN600

Gam.:

Aprašymas:
RD MOSFET tranzistoriai Low Noise pHEMT Devices

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 100

Turime sandėlyje:
100 Galime išsiųsti iš karto
Didesniam nei 100 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Min. 10   Užsakoma po 10
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
27,92 € 279,20 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
CML Micro
Gaminio kategorija: RD MOSFET tranzistoriai
RoHS:  
GaAs
175 mA
4.5 V
26 GHz
8 dB, 11 dB
20 dBm
+ 150 C
Die
Bulk
Prekės Ženklas: CML Micro
Tiesioginis laidumas - min: 300 mS
Pd - skaidos galia: 500 mW
Gaminio tipas: RF MOSFET Transistors
Serija: MWT
Gamyklinės pakuotės kiekis: 10
Subkategorija: MOSFETs
Prekinis pavadinimas: MWT-LN600
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541210040
ECCN:
EAR99

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.