Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

MSCSM120DHM31CTBL2NG

Name: Microchip MSCSM120DHM31CTBL2NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120DHM31CTBL2NG
Price: 118.34 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

579-M120DHM31CTBL2NG

Mfr. #:

MSCSM120DHM31CTBL2NG

Gam.:

Microchip Technology

Aprašymas:

Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2

Duomenų Lapas:

MSCSM120DHM31CTBL2NG Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Microchip Technology MSCSM120DHM31CTBL2NG

Prieinamumas: 4

Turime sandėlyje:: 4 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Didesniam nei 4 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	118,34 €	118,34 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Microchip
Gaminio kategorija:	Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai
RoHS:
Gaminys:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipas:	MOSFET / SiC SBD
Technologijos:	SiC
Vf - tiesioginė įtampa:	1.5 V
Vr - atvirkštinė įtampa:	1.2 kV
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 25 V
Montavimo stilius:	Screw Mount
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Prekės Ženklas:	Microchip Technology
Configuration:	Asymmetrical Bridge
Rudens laikas:	25 ns
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	79 A
Pd - skaidos galia:	310 W
Gaminio tipas:	Discrete Semiconductor Modules
RDS On - Drain-Source Varža:	31 mOhms
Kilimo Laikas:	30 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1
Subkategorija:	Discrete Semiconductor Modules
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	50 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	30 ns
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	1.2 kV
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	1.8 V

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

MSCSM120DHM31CTBL2NG Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MSCSM120x MOSFET Power Modules

Microchip Technology MSCSM120x MOSFET Power Modules are high-efficiency converters that feature Si₃N₄ substrate with thick copper for improved thermal performance. These modules offer a low profile, direct mounting to the heatsink (isolated package), an internal thermistor for temperature monitoring, and an extended temperature range. The MSCSM120x modules operate at 1.2kV reverse voltage (V_R), -10V to 25V gate-source voltage range (V_GS), 310W/560W power dissipation (P_D), and 79A/150A continuous drain current (I_D). These modules are used in applications such as high-reliability power systems, high-efficiency AC/DC and DC/AC converters, motor control, and AC switches.