MR2A08ACMA35

Everspin Technologies
936-MR2A08ACMA35
MR2A08ACMA35

Gam.:

Aprašymas:
MRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 600

Turime sandėlyje:
600 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
30,32 € 30,32 €
28,06 € 280,60 €
27,16 € 679,00 €
26,49 € 1 324,50 €
25,83 € 2 583,00 €
24,66 € 6 165,00 €
24,47 € 8 515,56 €
2 784 Pasiūlymas

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Everspin Technologies
Gaminio kategorija: MRAM
RoHS:  
REACH - SVHC:
BGA-48
Parallel
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
30 mA, 90 mA
- 40 C
+ 85 C
MR2A08A
Tray
Prekės Ženklas: Everspin Technologies
Jautrus drėgmei: Yes
Montavimo stilius: SMD/SMT
Pd - skaidos galia: 600 mW
Gaminio tipas: MRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis: 348
Subkategorija: Memory & Data Storage
Prekinis pavadinimas: Parallel I/O (x8)
Vieneto Svoris: 3 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR2A08A & MR2A16A 4Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR2A08A and MR2A16A 4Mb Parallel MRAM devices offer SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The MR2A08A series products are 4,194,304-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) devices organized as 524,288 words of 8 bits. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.