MR25H128ACDF

Everspin Technologies
936-MR25H128ACDF
MR25H128ACDF

Gam.:

Aprašymas:
MRAM 128Kb 3.3V 16Kx8 SPI

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 1 140

Turime sandėlyje:
1 140 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
4,82 € 4,82 €
4,45 € 44,50 €
4,33 € 108,25 €
4,22 € 211,00 €
4,12 € 412,00 €
3,99 € 997,50 €
3,88 € 2 211,60 €
3,81 € 4 343,40 €
3,52 € 10 032,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Everspin Technologies
Gaminio kategorija: MRAM
RoHS:  
DFN-8
SPI
128 kbit
16 k x 8
8 bit
2.7 V
3.6 V
6 mA, 23 mA
- 40 C
+ 85 C
MR25H128A
Tray
Prekės Ženklas: Everspin Technologies
Jautrus drėgmei: Yes
Montavimo stilius: SMD/SMT
Pd - skaidos galia: 600 mW
Gaminio tipas: MRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis: 570
Subkategorija: Memory & Data Storage
Prekinis pavadinimas: Serial I/O (SPI)
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CNHTS:
8542329000
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

MR25Hxx Serial SPI MRAMs

Everspin Technologies MR25Hxx Serial SPI MRAMs offer serial EEPROM and serial Flash compatible read/write timing with no write delays and unlimited read/write endurance. Unlike other serial memories, both reads and writes can occur randomly in memory with no delay between writes. 

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.