Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

MJD2873Q-13

Name: Diodes Incorporated MJD2873Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MJD2873Q-13
Price: 0.62 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

621-MJD2873Q-13

Mfr. #:

MJD2873Q-13

Gam.:

Diodes Incorporated

Aprašymas:

Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K

Duomenų Lapas:

MJD2873Q-13 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Diodes Incorporated MJD2873Q-13

Prieinamumas: 5 679

Turime sandėlyje:: 5 679 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 40 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	0,628 €	0,63 €
	0,379 €	3,79 €
	0,249 €	24,90 €
	0,19 €	95,00 €
	0,168 €	168,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2500)
	0,153 €	382,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Diodes Incorporated
Gaminio kategorija:	Dvipoliai tranzistoriai – BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologijos:	Si
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	TO-252-3
Tranzistoriaus poliškumas:	NPN
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	50 V
Collector- Base Voltage VCBO:	70 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	7 V
Kolektoriaus ir Emiterio Stoties Įtampa:	300 mV
Pd - skaidos galia:	2.6 W
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 150 C
Kvalifikacija:	AEC-Q100
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Prekės Ženklas:	Diodes Incorporated
Nuolatinė kolektoriaus srovė:	2 A
DC kolektoriaus / bazės gain, hfe, min:	40
Gaminio tipas:	BJTs - Bipolar Transistors
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2500
Subkategorija:	Transistors

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

MJD2873Q-13 Duomenų Lapas (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-10-15 (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.