MASTERGAN4

STMicroelectronics
511-MASTERGAN4
MASTERGAN4

Gam.:

Aprašymas:
Gate Tvarkyklės High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 115

Turime sandėlyje:
115 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 115 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
9,79 € 9,79 €
7,53 € 75,30 €
7,04 € 176,00 €
6,39 € 639,00 €
6,10 € 1 525,00 €
5,86 € 2 930,00 €
5,41 € 5 410,00 €
2 500 Pasiūlymas

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
STMicroelectronics
Gaminio kategorija: Gate Tvarkyklės
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
3 Output
6.5 A
3.3 V
15 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Tray
Prekės Ženklas: STMicroelectronics
Funkcijos:: 600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Įėjimo įtampa - maks.: 15 V
Įėjimo įtampa - min.: 3.3 V
Jautrus drėgmei: Yes
Gaminio tipas: Gate Drivers
RDS On - Drain-Source Varža: 225 mOhms
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1560
Subkategorija: PMIC - Power Management ICs
Vieneto Svoris: 150 mg
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an RDS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.