Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

MAPC-A3009-AB000

Name: MACOM MAPC-A3009-AB000
Brand: MACOM
SKU: 937-MAPC-A3009-AB000
Price: 478.57 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

937-MAPC-A3009-AB000

Mfr. #:

MAPC-A3009-AB000

Gam.:

MACOM

Aprašymas:

GaN FET Transistor, DC-4.0GHz, 50W, G28V5

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

MAPC-A3009-AB000 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie MACOM MAPC-A3009-AB000

Įspėjimas dėl siuntimo:

Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.

Prieinamumas: 30

Turime sandėlyje:: 30 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 26 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Šis Produktas Siunčiamas NEMOKAMAI

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	478,57 €	478,57 €
	426,09 €	4 260,90 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	MACOM
Gaminio kategorija:	GaN FET
Siuntimo apribojimai:	Norint eksportuoti šį produktą iš Jungtinių Amerikos Valstijų gali prireikti papildomų dokumentų.
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	440223
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	84 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	6 A
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 10 V, + 2 V
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 85 C
Prekės Ženklas:	MACOM
Configuration:	Single
Gamybos šalis:	US
Distribucijos šalis:	Not Available
Kilmės šalis:	US
Gain:	14.2 dB
Didžiausias darbinis dažnis:	4 GHz
Minimalus darbinis dažnis:	DC
Išvesties Galia:	48.6 dBm
Gaminio tipas:	GaN FETs
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1
Subkategorija:	Transistors
Tipas:	GaN on SiC Transistor

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

MAPC-A3009-AB000 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.