IXSA60N65L2-7TR

IXYS
747-IXSA60N65L2-7TR
IXSA60N65L2-7TR

Gam.:

Aprašymas:
SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L

Eksploatacijos Laikotarpis:
Naujas Produktas:
Naujiena iš šio gamintojo.
ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 900

Turime sandėlyje:
900 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
27 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 800)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
7,89 € 7,89 €
5,74 € 57,40 €
4,79 € 479,00 €
4,27 € 2 135,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 800)
3,79 € 3 032,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
IXYS
Gaminio kategorija: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
650 V
60 A
53 mOhms
- 5 V, 20 V
4.5 V
94.7 nC
- 55 C
+ 175 C
249 W
Enhancement
Prekės Ženklas: IXYS
Configuration: Single
Rudens laikas: 8.8 ns
Pakavimas: Reel
Pakavimas: Cut Tape
Pakavimas: MouseReel
Gaminys: SiC MOSFETS
Gaminio tipas: SiC MOSFETS
Kilimo Laikas: 15.6 ns
Serija: IXSxNxL2Kx
Gamyklinės pakuotės kiekis: 800
Subkategorija: Transistors
Technologijos: SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė: 18.5 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė: 7.6 ns
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs have high blocking voltage with low on-state resistance [RDS(ON)]. The on-state resistance is between 25mΩ and 160mΩ, and the continuous drain current (ID) is between 20A and 111A. These devices offer high-speed switching with low capacitance and have an ultra-fast intrinsic body diode. These are available with a 650V or 1200V drain-source voltage (VDSS) rating. The IXYS IXSxNxL2Kx Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are offered in three packages (TO-263-7L, TOLL-8, and TO-247-4L).