Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

Name: ISSI IS66WVQ16M4FBLL-200BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-VQ16M4DBLL200BLI
Price: 3.84 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

870-VQ16M4DBLL200BLI

Mfr. #:

IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

Gam.:

ISSI

Aprašymas:

DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ISSI IS66WVQ16M4FBLL-200BLI

Prieinamumas: 419

Turime sandėlyje:: 419 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 18 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1 Maks. 7

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	3,84 €	3,84 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ISSI
Gaminio kategorija:	DRAM
RoHS:
Tipas:	SDRAM
Atminties dydis:	64 Mbit
Didžiausias taktų dažnis:	200 MHz
Pakuotė / Korpusas:	TFBGA-24
Maitinimo Įtampa - Min.:	2.7 V
Maksimali Maitinimo Įtampa:	3.6 V
Prekės Ženklas:	ISSI
Jautrus drėgmei:	Yes
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Gaminio tipas:	DRAM
Gamyklinės pakuotės kiekis:	480
Subkategorija:	Memory & Data Storage

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.