IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

Name: ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVC2M16EL7010BLI
Price: 6.7 EUR
Availability: InStock

Mouser #:

870-WVC2M16EL7010BLI

Mfr. #:

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

Gam.:

ISSI

Aprašymas:

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Duomenų Lapas:

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	ISSI
Gaminio kategorija:	SRAM
RoHS:
Atminties dydis:	32 Mbit
Organizavimas:	2 M x 16
Prieigos laikas:	70 ns
Interface Type:	Parallel
Maksimali Maitinimo Įtampa:	1.95 V
Maitinimo Įtampa - Min.:	1.7 V
Maitinimo Srovė - Maks.:	30 mA
Minimali darbinė temperatūra:	- 40 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 85 C
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Prekės Ženklas:	ISSI
Jautrus drėgmei:	Yes
Gaminio tipas:	SRAM
Serija:	IS66WVC2M16EALL
Gamyklinės pakuotės kiekis:	480
Subkategorija:	Memory & Data Storage

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

Reglamentavimo kodai

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Klasifikacija pagal kilmę

Kilmės šalis:: Taivanas
Šalis, kurioje pagaminta:: Ne
Distribucijos šalis:: Taivanas

Šalis gali keistis siuntimo metu.

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

ATRINKTI PRODUKTAI

ISSI

Serial RAM Devices

Contain 8Mb/16Mb/32Mb pseudo-static Random Access Memory (RAM) using a self-refresh DRAM array.

Sužinokite Daugiau

QuadRAM Devices

Contain 8Mb/16Mb/32Mb pseudo-static Random Access Memory (RAM) using a self-refresh DRAM array.

Sužinokite Daugiau

Octal Memory

Portfolio of high-speed, low pin count memory products that utilize the JEDEC xSPI interface.

Sužinokite Daugiau

IS62WVS Serial SRAMs

Fabricated using high-performance CMOS technology to offer 20MHz clock rate and 4µA standby current.

Sužinokite Daugiau

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

Sužinokite Daugiau

Prieinamumas: 480

Turime sandėlyje:: 480 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 24 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	6,70 €	6,70 €
	6,24 €	62,40 €
	6,05 €	151,25 €
	5,90 €	295,00 €
	5,76 €	576,00 €

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI

Gam.: ISSI

Aprašymas: SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

Specifikacijos

Dokumentai (1)

Duomenų Lapas

Aplinkosaugos dokumentai

Produktų ir prekybos sąlygos

Daugiau informacijos

Pseudo SRAM/CellularRAM

ATRINKTI PRODUKTAI ISSI

Prieinamumas: 480

Kainodara (EUR)

Greitoji Peržiūra

Įvyko netikėta klaida.

Gam.:

ISSI

Aprašymas:

SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS

ATRINKTI PRODUKTAI

ISSI