IS29GL128-70DLET

ISSI
870-IS29GL128-70DLET
IS29GL128-70DLET

Gam.:

Aprašymas:
NOR Blykstė 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, Highest Sector Protected

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 390

Turime sandėlyje:
390 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
14 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1   Maks. 110
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
5,79 € 5,79 €
5,38 € 53,80 €
5,22 € 130,50 €
5,10 € 255,00 €
4,98 € 498,00 €

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
ISSI
Gaminio kategorija: NOR Blykstė
RoHS:  
SMD/SMT
BGA-64
IS29GL128
128 Mbit
2.7 V
3.6 V
45 mA
Parallel
16 M x 8/8 M x 16
8 bit/16 bit
Asynchronous
- 40 C
+ 105 C
Prekės Ženklas: ISSI
Jautrus drėgmei: Yes
Gaminio tipas: NOR Flash
Greitis: 70 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis: 260
Subkategorija: Memory & Data Storage
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8542326100
CNHTS:
8542329090
CAHTS:
8542320040
USHTS:
8542320051
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.1.a

SPI NOR Flash ICs

ISSI SPI NOR Flash ICs are low voltage Serial Peripheral Interface NOR Flash Memory Devices offering features such as Double Data Rate (DTR/DDR) interface modes, SFDP support, and 2-cycle instruction input (QPI mode).

IS29GL128 NOR Flash Memory Devices

ISSI IS29GL128 NOR Flash Memory Devices offer a fast page access time of 20ns with a corresponding random access time as fast as 70ns. These memory devices feature a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation. The IS29GL128 memory devices thus offer faster effective programming time than standard programming algorithms. These memory devices are ideal for embedded applications that require higher density, better performance, and low power consumption.