IRL540NSTRLPBF

Infineon Technologies
942-IRL540NSTRLPBF
IRL540NSTRLPBF

Gam.:

Aprašymas:
MOSFETs MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 1 118

Turime sandėlyje:
1 118 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
15 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 800)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
1,86 € 1,86 €
1,32 € 13,20 €
0,955 € 95,50 €
0,937 € 468,50 €
Visa Ritė (Užsakoma po 800)
0,685 € 548,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
100 V
36 A
63 mOhms
- 16 V, 16 V
2 V
49.3 nC
- 55 C
+ 175 C
3.8 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Configuration: Single
Gaminio tipas: MOSFETs
Gamyklinės pakuotės kiekis: 800
Subkategorija: Transistors
Tranzistoriaus tipas: 1 N-Channel
Vieneto Svoris: 4 g
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs

Infineon IRF540N/Z Advanced HEXFET® Power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed, ruggedized device design, and 175°C junction operating temperature that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.