IR25601STRPBF
Žr. produkto specifikacijas
Gam.:
Aprašymas:
Gate Tvarkyklės 2Ch 600V Half Bridge 60mA 10-20V 50ns
Prieinamumas: 1 611
-
Turime sandėlyje:
-
1 611 Galime išsiųsti iš kartoĮvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
-
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
-
24 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Kainodara (EUR)
| Qty. | Vieneto kaina |
Plėt. Kaina
|
|---|---|---|
| Nukerpama juosta / „MouseReel™“ | ||
| 1,30 € | 1,30 € | |
| 0,946 € | 9,46 € | |
| 0,857 € | 21,43 € | |
| 0,761 € | 76,10 € | |
| 0,715 € | 178,75 € | |
| 0,687 € | 343,50 € | |
| 0,64 € | 640,00 € | |
| Visa Ritė (Užsakoma po 2500) | ||
| 0,597 € | 1 492,50 € | |
Duomenų Lapas
Application Notes
- Gate Drive Characteristics and Requirements for HEXFET® power MOSFETs (PDF)
- Gate driver application matrix - Every switch needs a driver (PDF)
- HV Floating MOS Gate Drivers (PDF)
- Understanding HVIC Datasheet Specifications (PDF)
- Use Gate Charge to Design the Gate Drive Circuit for Power MOSFETs and IGBTs (PDF)
Product Catalogs
Technical Resources
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Design Tip - Using Monolithic High Voltage Gate Drivers (PDF)
- Low Gate Charge HEXFETS simplify Gate Drive and Lower Cost (PDF)
- Managing Transients in Control IC Driven Power Stages (PDF)
- PWM Control Methods Increases Efficiency and Reliability; Extends Battery Charge-cycle Time (PDF)
- Using Control ICs to Generate Neg. Gate Bias for MOSFETs & IGBTs (PDF)
- TARIC:
- 8542319000
- CNHTS:
- 8542399000
- CAHTS:
- 8542310000
- USHTS:
- 8542310075
- KRHTS:
- 8542311000
- MXHTS:
- 8542310302
- ECCN:
- EAR99
Lietuva
