IMBG65R072M1HXTMA1

Infineon Technologies
726-IMBG65R072M1HXTM
IMBG65R072M1HXTMA1

Gam.:

Aprašymas:
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

ECAD modelis:
Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Prieinamumas: 911

Turime sandėlyje:
911 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
21 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.
Didesniam nei 911 kiekiui taikomi minimalaus užsakymo reikalavimai.
Min. 1   Užsakoma po 1
Vieneto kaina:
-,-- €
Plėt. Kaina:
-,-- €
Numatomas Įkainis:
Pakuotė:
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)

Kainodara (EUR)

Qty. Vieneto kaina
Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“
6,20 € 6,20 €
4,20 € 42,00 €
3,15 € 315,00 €
3,14 € 1 570,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
2,68 € 2 680,00 €
† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami.

Produkto Požymis Atributo vertė Pasirinkite Požymį
Infineon
Gaminio kategorija: SiC MOSFET
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
94 mOhms
- 5 V, + 23 V
5.7 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
140 W
Enhancement
CoolSiC
Prekės Ženklas: Infineon Technologies
Pakavimas: Reel
Pakavimas: Cut Tape
Pakavimas: MouseReel
Gaminys: MOSFETs
Gaminio tipas: SiC MOSFETS
Serija: CoolSiC 650V
Gamyklinės pakuotės kiekis: 1000
Subkategorija: Transistors
Technologijos: SiC
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai: IMBG65R072M1H SP005539178
Rasta produktų:
Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį
Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.
Pasirinkti atributai: 0

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency. 

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.