Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IMBG65R022M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R022M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG65R022M1HXTM
Price: 12.9 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IMBG65R022M1HXTM

Mfr. #:

IMBG65R022M1HXTMA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Duomenų Lapas:

IMBG65R022M1HXTMA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IMBG65R022M1HXTMA1

Prieinamumas: 783

Turime sandėlyje:: 783 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 15 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Pakuotė:

Visa Ritė (Užsakoma po 1000)

Pjaunama Juosta

"MouseReel"™ (+5,00 €)

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
Nukerpama juosta / „MouseReel™“ ^†
	12,90 €	12,90 €
	9,08 €	90,80 €
	8,21 €	821,00 €
	8,20 €	4 100,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 1000)
	7,72 €	7 720,00 €

† 5,00 € „MouseReel™“ mokestis bus pridėtas ir apskaičiuotas jūsų pirkinių krepšelyje. Visi „MouseReel™“ užsakymai neatšaukiami ir negrąžinami. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	64 A
RDS On - Drain-Source Varža:	30 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 5 V, + 23 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5.7 V
Qg – vartų krūvis:	67 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	300 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekinis pavadinimas:	CoolSiC
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Pakavimas:	MouseReel
Gaminys:	MOSFETs
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Serija:	CoolSiC 650V
Gamyklinės pakuotės kiekis:	1000
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Dalies Nr., kitokios klasifikacijos numeriai:	IMBG65R022M1H SP005539143

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IMBG65R022M1HXTMA1 Duomenų Lapas (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs

Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 Trench Power MOSFETs combine the strong physical characteristics of Silicon Carbide with unique features that increase the device's performance, robustness, and ease of use. The CoolSiC M1 MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to deliver the lowest application losses and the highest reliability in operation. Suitable for high temperatures and harsh operations, these devices enable the simplified and cost-effective deployment of the highest system efficiency.